特許

J-GLOBAL ID：200903089339036124

有機EL素子及びその製造方法

発明者： 山中 幹宏 ,  工藤 淳
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-106560
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311340
出願日： 2003年04月10日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】従来の有機EL素子よりも、はるかに高度な動作安定性を有する長寿命の有機EL素子が求められている。【解決手段】本発明によれば、有機EL素子において、イオンビームを照射することで素子表面を改質させ、外界の水分、酸素等の進入を阻害するためのブロック層を形成することで、素子の高度に高い動作安定性を有する素子構造を提供できる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に、陰極、有機EL層及び陽極の積層体を形成した有機EL素子からなり、積層体の側部に露出する陰極と有機EL層との界面を少なくとも含む有機EL素子の表面にイオンビームを照射して表面を改質したブロック層を備えることを特徴とする有機EL素子。

IPC (3件)：

H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (3件)：

H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (9件)：

3K007AB03 ,  3K007AB11 ,  3K007AB12 ,  3K007AB13 ,  3K007AB18 ,  3K007BB00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• バリア膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-207373   出願人：ソニー株式会社
• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-251698   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所