特許
J-GLOBAL ID：200903089344254369
プラズマCVD成膜装置及びガスバリア性プラスチック容器の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
今下 勝博
, 岡田 賢治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-322063
公開番号（公開出願番号）：特開2007-126732
出願日： 2005年11月07日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：
【課題】本発明の目的は、プラズマの発生が反応室の内部、すなわちプラスチック容器の内部のみで起こるように、排気室又はそれ以降の排気経路でのプラズマの発生を抑制し、同時にプラズマを安定して着火させることである。さらに、装置寿命の短縮の防止、インピーダンスの急激な変化に起因する不良ボトルの偶発の防止及び容器主軸方向に対してガスバリア薄膜の膜厚の均一化を図ることである。【解決手段】本発明に係るプラズマCVD成膜装置は、反応室3に周波数100kHz〜3MHzの低周波電力を供給し、且つ、プラスチック容器8の内部にスパーク発生部40を有するプラズマ着火手段と配置する。このとき、プラスチック容器8と反応室3の内部空間30との合成静電容量をC1とし、絶縁体スペーサー4と排気室5の内部空間31との合成静電容量をC2としたとき、C1>C2の関係が成立する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラスチック容器を収容する反応室と、排気室と、前記反応室と前記排気室に挟まれて各々を電気的に絶縁させるとともに前記反応室と前記排気室とを連通させる開口部を設けた絶縁体スペーサーと、前記排気室に接続され、前記開口部と前記排気室を経由して前記反応室の内部ガスを排気する真空ポンプと、前記プラスチック容器の内部に配置された原料ガス供給管と、該原料ガス供給管に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記反応室に周波数100kHz〜3MHzの低周波電力を供給する低周波電力供給手段と、前記プラスチック容器の内部に配置されたスパーク発生部を有するプラズマ着火手段と、を備え、前記プラスチック容器と前記反応室の内部空間との合成静電容量をC1とし、前記絶縁体スペーサーと前記排気室の内部空間との合成静電容量をC2としたとき、C1>C2の関係が成立することを特徴とするプラズマCVD成膜装置。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, B65D 1/00
, B65D 23/02
C23C16/50
, B65D1/00 C
, B65D23/02 Z
3E033AA02
, 3E033BA13
, 3E033BB08
, 3E033CA16
, 3E033DA02
, 3E033DB01
, 3E033EA10
, 3E062AA09
, 3E062AB02
, 3E062AC02
, 3E062JA01
, 3E062JA07
, 3E062JB24
, 3E062JD01
, 4K030AA09
, 4K030BA28
, 4K030BA37
, 4K030BA44
, 4K030CA07
, 4K030CA15
, 4K030FA01
, 4K030JA02
, 4K030JA18
, 4K030KA01
, 4K030KA17
, 4K030KA30
, 4K030KA46
, 4K030LA01
, 4K030LA24
