特許
J-GLOBAL ID：200903089359399860
静電破壊防止回路を有するMOSトランジスタ構造体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-121932
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306998
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 ESD現象中のEDS電流の均一な配電を実現する。【解決手段】 集積回路装置の静電気放出(ESD)保護回路用MOSトランジスタ構造体。ESD保護トランジスタの構造体は、集積回路装置のシリコン基板に形成されたドレイン拡散領域と、シリコン基板に形成されたソース拡散領域と、シリコン基板に形成されたゲートと、ドレイン拡散領域全体にわたって均一に分布している多数の分離島とにより構成されている。分離島は、ドレイン領域の拡散抵抗をESD電流保護に適した水準に上昇させながら、ドレイン接点およびゲート間にほぼ均一な拡散抵抗を提供する。開示されたMOSトランジスタ構造体は、IC装置用回路の作成に用いられるサリサイド製法と完全に互換性のあるサリサイド製法に基づく製造方法によって製造可能である。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、前記シリコン基板に形成された拡散抵抗を有するドレイン拡散領域と、前記シリコン基板に形成されたソース拡散領域と、前記シリコン基板に形成されたゲートと、前記ドレイン拡散領域の前記拡散抵抗を増加させるように前記ドレイン拡散領域全体にわたり均一に分布している複数の分離島と、から成る金属酸化物半導体トランジスタ構造体。
IPC (5件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/78
H01L 27/08 102 C
, H01L 27/04 H
, H01L 27/08 102 F
, H01L 29/78 301 S
