窒化物系III-V族化合物半導体の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-252664
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091234
出願日： 1998年09月07日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】本発明は、窒化物系III-V族化合物半導体の気相成長方法及びこの方法を用いた半導体素子の製造方法に関し、特に青色発光素子の従来構造におけるn型化合物半導体層の低抵抗化を行い、デバイス特性が劣化しない化合物半導体素子の製造方法を提供すること、及び上記n型化合物半導体層をn型低抵抗基板として分離することにより、n型、p型電極の対極構造を有する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ハロゲン輸送法によるIII-V族化合物半導体の気相成長方法において、SiHxCl4-X(x=1、2、3)をドーピング原料ガスとしてSiドーピングを行うことにより、n型化合物半導体層の低抵抗化が可能となる。さらに、この層は厚膜化が可能なため、この層をn型低抵抗基板として分離が可能であり、n型、p型電極の対極構造を有する半導体素子の製造が可能となる。

請求項（抜粋）：

III族元素のハロゲン化物と窒素元素を含む化合物を反応させ、窒化物系III-V族化合物半導体層を気相成長させる方法であって、この気相成長時に、SiHxCl4-X(x=1、2、3)をドーピング原料ガスとしてSiドーピングを行うことを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体の気相成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C30B 31/00 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 , C30B 31/00 , H01L 33/00 C

Fターム (32件)：

4G077AA03 , 4G077BE41 , 4G077DB05 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC19 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB09 , 5F045CA01 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA55 , 5F045DA66

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭63-178516
特開昭63-174315
特開昭48-051584

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