特許
J-GLOBAL ID：200903059290636566
窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-011590
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214798
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 サファイア基板を除去してもGaN基板に反り、割れ、及び欠けなどが発生するのを防止し、容易にウエハをチップ化できると共に、劈開の際のGaN基板の不要な割れを防止することができ、更に放熱性の良好な窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 第1の異種基板上にGaN基板2を形成し、その上に素子構造3を積層した後又は積層する前に、第1の異種基板を取り除き露出されたGaN基板面に劈開性の第2の異種基板4を接合する。又は80μm以上のGaN基板2を形成し第1の異種基板を除去し露出した面とは反対側の面に素子構造3を形成し、第2の異種基板4を接合させない。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体と異なる材料よりなる第1の異種基板上にGaNを成長させてGaN基板となし、そのGaN基板の上に窒化物半導体素子構造を積層した後、第1の異種基板を取り除き露出された素子構造を有していないGaN基板の面に、窒化物半導体と異なる材料よりなり劈開性を有する第2の異種基板を接合して、その第2の異種基板を劈開することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
