特許
J-GLOBAL ID：200903089369736333
光電変換装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 泰甫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-304895
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133826
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板の裏面上でのアルミ電極と銀電極との界面をなくして、応力集中を防いで割れ強度を高める。【解決手段】 シリコン基板1の裏面1bの大部分にアルミペーストを塗布して乾燥し、この塗布面の一部分に銀ペーストを塗布して乾燥し、シリコン基板1の受光面1aに銀ペーストを塗布して乾燥し、その後焼成する。シリコン基板1の受光面1aに受光面電極6、裏面1b上にアルミ電極5、さらにこのアルミ電極5の上面の一部に銀電極4が同時に形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の受光面とは異なる側の表面の大部分に第1の金属ペーストを塗布し、この塗布面の一部分に前記第1の金属ペーストよりもはんだ濡れ性の良好な金属を主成分とする第2の金属ペーストを塗布し、その後焼成して電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
Fターム (7件)：
5F051AA02
, 5F051BA11
, 5F051CB27
, 5F051FA10
, 5F051FA15
, 5F051FA30
, 5F051GA04
