製造に適した、低誘電性、低配線抵抗かつ高性能ICを達成するための新規なプロセス技術

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-519801
公開番号（公開出願番号）：特表平10-510953
出願日： 1995年11月22日
公開日（公表日）： 1998年10月20日
要約：

【要約】金属線(14)に接触する、半導体装置の配線(18)は銅、金、銀、またはプラチナのような低抵抗金属を含み、ベンゾシクロブテンまたはその派生物のような、低誘電率を有する材料(20)によって分離される。3層レジスト構造(16)がリフトオフプロセスとともに用いられて配線(18)を形成する。低誘電率材料(20)は低抵抗金属(18)の拡散に対して拡散バリアを与える。3層レジスト(16)は溶解可能なポリマーの第1の層(16a)と、ハードマスク材料の第2の層(16b)と、レジスト材料の第3の層(16c)とを含む。結果として生じる構造は、速度が高まり、かつ作製が容易な集積回路を与える。

請求項（抜粋）：

それぞれソースコンタクトおよびトルインコンタクトによって接触されるソース領域およびドレイン領域を含んだウェハ上に形成され、ソース領域およびドレイン領域の各々はゲート電極によって接触されるゲート領域によって分離され、第1のレベルのパターニングされた配線は所望のパターンで前記ソースコンタクト、前記ドレインコンタクトおよび前記ゲート電極に接触し、第2のレベルのパターニングされた配線(18)は複数個の金属線(14)によって前記第1のレベルのパターニングされた配線に接触する半導体装置(10)であって、前記金属線(14)は第1の誘電材料(12)によって分離され、前記第2のレベルのパターニングされた配線(18)は低抵抗金属を含み、前記低抵抗金属の拡散に対して不活性の平坦化された誘電材料(20)によって分離される、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/027 , H01L 21/28

FI (3件)：

H01L 21/90 P , H01L 21/28 D , H01L 21/30 576

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-206638
特開昭60-142545
薄膜多層配線板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-126292 出願人：イビデン株式会社

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