特許

J-GLOBAL ID：200903089379495989

半導体集積回路装置

発明者： 田中 素子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189539
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040666
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 多層配線構造を有する半導体集積回路装置において、配線の信頼性を損なうことなく配線間の容量を低減し、集積回路の高速動作を可能にする。【解決手段】 層間絶縁膜として配線2,2間に空孔10を有する酸化シリコン膜4と、空孔10および金属配線2上に酸化シリコン膜4よりも低い比誘電率を有する低誘電率の絶縁膜5を有することにより、同層および異層の配線間容量を低減する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の第1の絶縁膜を選択的に被覆する複数の金属配線層と前記配線層の設けられた第1の絶縁膜を被覆する層間絶縁膜とを有する半導体集積回路装置であって、前記層間絶縁膜は、互いに隣接する2つの金属配線層間の距離である配線間隔が所定値を越えない部分にのみに設けられた空孔を有する第1の層間絶縁膜と、前記空孔及び金属配線上に前記層間絶縁膜よりも低い比誘電率を有する第2の層間絶縁膜とを有するものであることを特徴とする半導体集積回路装置。

FI (2件)：

H01L 21/90 N ,  H01L 21/90 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-123459
  
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-118659   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開平2-086146