特許
J-GLOBAL ID：200903089380165658

半導体装置

発明者：
持田 晶良

持田 晶良 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-371815
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173680
出願日： 2005年12月26日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】半導体素子を一対の金属電極で挟み、さらに各金属電極の外側に絶縁基板を設けることにより、半導体素子の両面から放熱を可能とした半導体装置において、金属電極と絶縁基板との熱膨張係数差による絶縁基板の反りを抑制する。【解決手段】一対の金属電極3、4のそれぞれの金属電極3、4を、絶縁基板5、6側となる外面側から半導体素子1、2側となる内面側へ向かって複数の層3a、3b、4a、4bが熱膨張係数の低い順に積層されてなる積層構造を有するものとした。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
内面が対向するように設けられた放熱性を有する一対の金属電極(3、4)と、 前記両金属電極(3、4)に挟まれるように設けられ前記両金属電極(3、4)の内面に電気的に接続された半導体素子(1、2)と、 前記各金属電極(3、4)の外面に設けられた放熱性を有するセラミック製の絶縁基板(5、6)と、を備える半導体装置において、 前記一対の金属電極(3、4)の少なくとも一方の金属電極(3、4)は、前記外面側から前記内面側へ向かって複数の層(3a、3b、4a、4b)が熱膨張係数の低い順に積層されてなる積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 25/18 ,  H01L 25/07
FI (1件)：
H01L25/04 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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