特許

J-GLOBAL ID：200903090224973017

半導体装置

発明者： 木村 友則 ,  戸倉 規仁 ,  小原 文雄 ,  水越 正人
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212325
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056131
出願日： 1996年08月12日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 放熱性を向上させると共に、小形化を実現し、また、応力に弱い構成の半導体チップであっても、この半導体チップの2つの主面から速やかに放熱させるようにする。【解決手段】 本発明の半導体装置は、一方の主面にコレクタ電極を有すると共に他方の主面にエミッタ電極及びゲート電極を有する6個のIGBTチップ4を備え、これらIGBTチップ4を挟むように設けられ各挟む側の面にIGBTチップ4の電極に接合するための電極パターン13、14、19が配設された2枚の高熱伝導性絶縁基板2、3を備え、そして、IGBTチップ4の電極と高熱伝導性絶縁基板2、3の電極パターン13、14、19とをろう付けにより接合して構成したものである。

請求項（抜粋）：

一方の主面に主電極を有すると共に他方の主面に主電極及び制御電極を有する1個或いは複数個の半導体チップと、この半導体チップを挟むように設けられ、各挟む側の面に前記半導体チップの電極に接合するための電極パターンが配設された2枚の高熱伝導性絶縁基板とを備え、前記半導体チップの電極と前記高熱伝導性絶縁基板の電極パターンとをろう付けにより接合したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/373

FI (2件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 23/36 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体パッケージとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-036664   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭59-031042
  
• パワーデバイスチップの実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-160761   出願人：日産自動車株式会社