特許
J-GLOBAL ID：200903089393373390
光半導体素子のマウント構造
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-123126
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318475
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 光半導体素子の発光部を有する側面にロウ材が拡がるのを防止して、光半導体素子を搭載部に強固に接合できる光半導体素子のマウント構造を提供すること。【解決手段】 絶縁基板2の上面の端部から側面にかけて上面側導体層3aが延設されたサブマウント1に、一側面に発光部を有する光半導体素子5が絶縁基板2の側面よりも外側に一側面を突出させて上面側導体層3aにロウ付けされている。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の上面の端部から側面にかけて導体層が延設されたサブマウントに、一側面に発光部を有する光半導体素子が前記絶縁基板の側面よりも外側に前記一側面を突出させて前記端部の前記導体層にロウ付けされていることを特徴とする光半導体素子のマウント構造。
Fターム (5件)：
5F073EA27
, 5F073FA15
, 5F073FA16
, 5F073FA22
, 5F073FA23
