半導体レーザ装置及びその製造方法及びそれを用いた光ピックアップ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-281724
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223425
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】導電性ダイボンドペーストが主出射側発光点またはモニター側発光点を閉ぐことがなく、光ピックアップの戻り光による悪影響のない半導体レーザ装置及びその製造方法及びそれを用いた光ピックアップを提供する。【解決手段】半導体レーザ装置において、ステム11の一端のヘッダー部11aまたはステム上に配設されたサブマウントの一端の端面から半導体レーザチップ10の主発光側発光点16の端面を迫り出すように半導体レーザチップ10を配設する。半導体レーザチップ10のダイボンドには導電性ダイボンドペースト14を用いる。ステム11の一端のヘッダー部11aまたはステム11上に配設されたサブマウントの一端のヘッダー部に面取り加工部12aまたはコーナー曲面加工部を配設する。光ピックアップは、少なくとも上記半導体レーザ装置と回折格子と光検出器と集光レンズと対物レンズとから構成される。

請求項（抜粋）：

ステムの一端のヘッダー部またはステム上に配設されたサブマウントの一端のヘッダー部から半導体レーザチップの主発光側発光点の端面を迫り出すように配設し、且つ、該半導体レーザチップのダイボンドには導電性ダイボンドペーストを接着剤として用いることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 5/022 , G11B 7/125 , G11B 7/135 , G11B 7/22

FI (4件)：

H01S 5/022 , G11B 7/125 A , G11B 7/135 Z , G11B 7/22

Fターム (16件)：

5D119AA20 , 5D119AA38 , 5D119EA02 , 5D119FA05 , 5D119FA17 , 5D119FA35 , 5D119JA22 , 5D119NA04 , 5F073AB21 , 5F073AB25 , 5F073AB27 , 5F073BA05 , 5F073FA13 , 5F073FA15 , 5F073FA16 , 5F073FA22

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-106089
特開昭60-063981
特開昭61-181176

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