特許

J-GLOBAL ID：200903089393810323

低誘電率シリカ質膜

発明者： 清水 泰雄 ,  舟山 徹
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 池浦 敏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-282988
公開番号（公開出願番号）：特開平11-105186
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：

【要約】【課題】 比誘電率の小さなシリカ質膜及びその形成方法を提供するとともに、そのシリカ質膜を含有する半導体装置及びコーティング組成物を提供する。【解決手段】 分子中に含まれる窒素原子に炭化水素基が結合しているポリシラザン膜を加熱焼成して形成した低誘電率シリカ質膜の形成方法。分子中に含まれる窒素原子に炭化水素基が結合しているポリシラザン膜を基体表面に形成した後、該膜を加熱焼成することを特徴とする低誘電率シリカ質膜の形成方法。分子中に含まれる窒素原子に炭化水素基が結合しているポリシラザン膜を基体表面に形成した後、該膜を水蒸気含有雰囲気中で予備加熱し、次いで乾燥雰囲気中で焼成することを特徴とする低誘電率シリカ質膜の形成方法。前記シリカ質膜を層間絶縁膜として含有することを特徴とする半導体装置。分子中に含まれる窒素原子に炭化水素基が結合しているポリシラザンを含む溶液からなるコーティング組成物。

請求項（抜粋）：

分子中に含まれる窒素原子に炭化水素基が結合しているポリシラザン膜を加熱焼成して形成した低誘電率シリカ質膜。

IPC (7件)：

B32B 9/00 ,  B32B 7/02 104 ,  C01B 33/12 ,  C09D183/16 ,  H01B 3/46 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

B32B 9/00 A ,  B32B 7/02 104 ,  C01B 33/12 C ,  C09D183/16 ,  H01B 3/46 F ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリカ系被膜形成用塗布液および被膜付基材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-281949   出願人：触媒化成工業株式会社
• セラミックスの低温形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-313425   出願人：東燃株式会社