特許
J-GLOBAL ID：200903089395937789
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
曾我 道治
, 古川 秀利
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-165781
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335632
出願日： 2006年06月15日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】単純な構成を有すると共に容易に製造することができる半導体装置を提供する。【解決手段】第1外部電極10は、その一部がケース9の側壁9aに埋設された本体部12と、本体部12の一端からケース9の内方に向かって突出形成された接合部13とを有している。第1外部電極10の接合部13は、本体部12よりも小さい厚さを有するように形成され、接合部13の先端部分が絶縁基板2の配線パターン4上に超音波接合により直接に接合されている。したがって、接合部13を配線パターン4上に接合するのに必要な荷重及び超音波振動を小さく抑えることができ、これにより、絶縁基板2の絶縁部材3に損傷を生じることなく第1外部電極10が絶縁基板2の配線パターン4上に直接に接合される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
平坦な絶縁部材の上面に導電性の配線パターンが形成された絶縁基板を有し、この絶縁基板の配線パターン上に半導体素子の裏面電極が接合される半導体装置において、
その一端が外部端子として用いられる本体部と前記本体部の他端に位置して前記本体部よりも薄く形成される接合部とを有する外部電極を備え、前記外部電極の接合部が超音波接合により前記絶縁基板の配線パターン上に直接に接合されることにより前記絶縁基板の配線パターンを介して前記外部電極が前記半導体素子の裏面電極に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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