半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-307643
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145188
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】半導体チップ上の電極パッドと、多層構成の細線リードフレームの接合時における熱的および機会的衝撃を緩和して高信頼度の接合がなされる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ2の電極パッド3上に第一の種類の金属M1による金属バンプ5が形成され、この金属バンプ5に、第二の種類の金属M2で構成された下層7aと、中間層7bと、上層7cから成る三層構造の細線リード7を有するリードフレーム6の、下層7aが接合される。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極パッド上に第一の種類の金属による金属バンプを形成させる工程と、該金属バンプを介して、前記電極パッドと、第二の種類の金属により部分的に金属めっきされた多層構造のリードフレームとを、少なくとも加熱と加圧により接合させる工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/603 , H01L 21/607 , H01L 23/50

FI (5件)：

H01L 21/60 311 R , H01L 21/603 A , H01L 21/607 A , H01L 23/50 M , H01L 23/50 S

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体実装構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-242404 出願人：シャープ株式会社
特開平4-196333
ギヤングボンデイング方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-298827 出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社

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