特許
J-GLOBAL ID:200903089406873370
配線基板、その製造方法、非晶質ガラス、配線基板用セラミック組成物、電子回路装置、電子計算機用モジュール、および電子計算機
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
富田 和子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-210850
公開番号(公開出願番号):特開平8-333157
出願日: 1995年08月18日
公開日(公表日): 1996年12月17日
要約:
【要約】【目的】900〜1050°Cで焼結し、比誘電率が小さく、熱膨張係数がシリコンと整合し、曲げ強度の大きいセラミック配線基板およびその製造方法。【構成】軟化温度が850〜1100°Cのガラス、すなわち、図1(SiO2-B2O3-R2O系三角組成図。小円の位置により各組成が示され、小円内の数字は組成番号を示す)において、第1、第3、第10、第11、第4の組成を示す点をそれぞれ結ぶ線により囲まれる領域内(線上含む)の点の示す組成を有するガラスを原料として用いる。バインダには、水系分散型粒子を用い、焼成工程においてグリーンシートを厚さ方向に加圧する。
請求項(抜粋):
非晶質ガラスと、フィラーと、有機バインダと、スラリー調製用溶剤とを混合してスラリーを調製するスラリー調製工程と、上記スラリーをシート状に加工して、グリーンシートを調製するグリーンシート調製工程と、上記グリーンシートにビアホールおよび/または配線を形成する導体形成工程と、上記グリーンシートを700〜880°Cに加熱して脱バインダし、900〜1050°Cに加熱して焼結する加熱工程とを、この順に有し、上記非晶質ガラスは、軟化温度が850〜1100°Cのガラスであることを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (4件):
C04B 35/16
, H01B 13/00 503
, H05K 1/03 610
, H05K 3/46
FI (5件):
C04B 35/16 Z
, H01B 13/00 503 Z
, H05K 1/03 610 D
, H05K 3/46 H
, H05K 3/46 T
引用特許: