特許

J-GLOBAL ID：200903089409501474

リッジ導波路型半導体レーザ素子

発明者： 粕川 秋彦 ,  行谷 武
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-278605
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114660
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 光出力が300mW以上の高出力であっても基本横モード動作は安定化し、また縦モード(発振波長)の跳躍も起こらないリッジ導波路型半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 基板11の上に、下部クラッド層12,下部光閉じ込め層13a,活性層14,上部光閉じ込め層13b、および上部クラッド層15をこの順序で積層して成る積層構造を有し、上部クラッド層15にリッジ15aが形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、リッジ15aの幅(W)が2.5〜5.0μmであり、かつ、リッジ15aの底部から活性層14までの距離(t)が0.5〜0.8μmであるリッジ導波路型半導体レーザ素子。

請求項（抜粋）：

基板の上に、下部クラッド層,下部光閉じ込め層,活性層,上部光閉じ込め層、および上部クラッド層をこの順序で積層して成る積層構造を有し、前記上部クラッド層にリッジが形成されているリッジ導波路型半導体レーザ素子において、前記リッジの幅が2.5〜5.0μmであり、かつ、前記リッジの底部から前記活性層までの距離が0.5〜0.8μmであることを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ素子。

Fターム (7件)：

5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA09 ,  5F073CA04 ,  5F073CA07 ,  5F073EA16 ,  5F073EA18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• リッジ導波路型半導体レーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-143524   出願人：古河電気工業株式会社