特許

J-GLOBAL ID：200903089434080807

半導体発光素子用エピタキシャルウェーハ、半導体発光素子、およびその製造方法

発明者： 亀村 高行
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260813
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085476
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】ウェーハ内の良品部を除去することなく、ウェーハの形状を一定に保ち、また半導体発光素子の検査数を減らすことができる半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子用ウェーハ、半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子用エピタキシャルウェーハを検査し、ウェーハ上に不良領域を識別できる印を付ける工程後、素子に裁断加工し、その後、印から識別される不良素子を取り除く。

請求項（抜粋）：

半導体発光素子用エピタキシャルウェーハを検査し、ウェーハ上に不良領域を識別できる印を付けることを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/301 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/66 A ,  H01L 21/66 X ,  H01L 33/00 K ,  H01L 21/78 Y

Fターム (11件)：

4M106AA01 ,  4M106AB09 ,  4M106BA04 ,  4M106BA10 ,  4M106CA19 ,  4M106DA01 ,  4M106DA09 ,  5F041AA46 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-302082
  
• 半導体レーザ装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-158875   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開昭63-222438
  

審査官引用 (6件)

• 特開平2-302082
  
• 半導体レーザ装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-158875   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開昭63-222438
  
• 特開平2-302082
  
• 特開平2-302082
  
• 特開昭63-222438