レーザアニーリング装置、液晶表示装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076514
公開番号（公開出願番号）：特開2000-275668
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】周辺回路を一体化した液晶表示装置の製造方法に関し、レーザによる半導体膜の結晶化を行う際のスループットを向上し、プロセスマージンを向上すること。【解決手段】表示領域2aと第1周辺回路領域3aと第2周辺回路領域4aを有する基板1上に、固相成長法又は直接成膜法により第1の電界効果移動度を有する第1の半導体膜10を形成する工程と、前記第1周辺回路領域3a上の前記第1の半導体膜10に線形又は二次元の第1レーザ光を第1のエネルギー密度で照射して第2の電界効果移動度を有する第2の半導体膜10cに変える工程と、前記第2周辺回路領域4a上の前記第1の半導体膜10に線形又は二次元の第2レーザ光を第1のエネルギー密度と異なる第2のエネルギー密度で照射して第3の電界効果移動度を有する第3の半導体膜10bに変える工程とを含む。

請求項（抜粋）：

表示領域と第1周辺回路領域と第2周辺回路領域を有する基板上に、固相成長法又は直接成膜法により第1の電界効果移動度を有する第1の半導体膜を形成する工程と、前記第1周辺回路領域上の前記第1の半導体膜に線形又は二次元の第1レーザ光を第1のエネルギー密度で照射して第2の電界効果移動度を有する第2の半導体膜に変える工程と、前記第2周辺回路領域上の前記第1の半導体膜に線形又は二次元の第2レーザ光を第1のエネルギー密度と異なる第2のエネルギー密度で照射して第3の電界効果移動度を有する第3の半導体膜に変える工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

IPC (6件)：

G02F 1/1345 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

G02F 1/1345 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 21/268 G , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G

Fターム (66件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA44 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KB14 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BA02 , 5F052BA07 , 5F052BA18 , 5F052BB07 , 5F052CA10 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110QQ21

引用特許：

審査官引用 (4件)

アクティブマトリクス基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-044094 出願人：セイコーエプソン株式会社
電気光学的表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-230198 出願人：セイコーエプソン株式会社
液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-247213 出願人：株式会社日立製作所

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