銅配線半導体用洗浄剤

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-031294
公開番号（公開出願番号）：特開2009-194049
出願日： 2008年02月13日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：

【課題】従来の銅配線半導体用洗浄剤は、銅配線に付着する研磨剤由来の有機残渣を除去する効果が不十分であるばかりか、金属配線材料(銅、タングステン等)が腐食するという問題がある。【解決手段】有機アミン(A)、下記(I)〜(IV)からなる群より選ばれる少なくとも1種の多価水酸基含有化合物(B)及び水(W)を含有してなり、25°CでのpHが2〜14であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。(I)分子量が1,000未満の多価水酸基含有炭化水素(II)エーテル基、エステル基、ホルミル基、スルホ基、スルホニル基、ホスホノ基、チオール基、ニトロ基及びアミド基からなる群から選ばれる少なくとも1種の官能基を有する分子量が1,000未満の多価水酸基含有炭化水素(III)上記(I)、(II)を脱水縮合した分子構造を有する多価水酸基含有化合物(IV)糖類(V)変性されていてもよいポリビニルアルコール【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機アミン(A)、下記(I)〜(IV)からなる群より選ばれる少なくとも1種の多価水酸基含有化合物(B)及び水(W)を含有してなり、25°CでのpHが2〜14であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。 (I)分子量が1,000未満の多価水酸基含有炭化水素 (II)エーテル基、エステル基、ホルミル基、スルホ基、スルホニル基、ホスホノ基、チオール基、ニトロ基及びアミド基からなる群から選ばれる少なくとも1種の官能基を有する分子量が1,000未満の多価水酸基含有炭化水素 (III)上記(I)、(II)を脱水縮合した分子構造を有する多価水酸基含有化合物 (IV)糖類 (V)変性されていてもよいポリビニルアルコール

IPC (10件)：

H01L 21/304 , C11D 7/32 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , C11D 7/24 , C11D 7/26 , C11D 7/34 , C11D 7/36 , C11D 7/22 , C11D 17/08

FI (9件)：

H01L21/304 647A , C11D7/32 , H01L21/88 M , C11D7/24 , C11D7/26 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D7/22 , C11D17/08

Fターム (44件)：

4H003DA09 , 4H003DA15 , 4H003EB09 , 4H003EB13 , 4H003EB14 , 4H003EB20 , 4H003EB21 , 4H003EB22 , 4H003EB23 , 4H003EB33 , 4H003EB41 , 4H003ED02 , 4H003ED28 , 4H003ED31 , 4H003ED32 , 4H003FA15 , 4H003FA28 , 5F033HH11 , 5F033QQ48 , 5F033QQ93 , 5F033QQ96 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033XX18 , 5F033XX21 , 5F157AA35 , 5F157AA85 , 5F157AA93 , 5F157AA94 , 5F157AA96 , 5F157BC03 , 5F157BC07 , 5F157BC12 , 5F157BE12 , 5F157BF02 , 5F157BF12 , 5F157BF22 , 5F157BF32 , 5F157BF34 , 5F157BF36 , 5F157BF38 , 5F157DB03 , 5F157DB57

引用特許：

出願人引用 (1件)

化学的機械的平坦化(CMP)後の清浄化組成物
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-502824 出願人：イーエスシー,インコーポレイテッド

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