不揮発性半導体メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061166
公開番号（公開出願番号）：特開平8-190797
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】特にウィンドウの小さい不揮発性メモリの記憶保持特性、書換え回数、および収率を向上させることが可能な不揮発性半導体メモリ装置を提供すること。【構成】電荷の蓄積と放出が可能な複数のメモリセル2と、メモリセル2の厚さ方向と略同一の厚さ方向の構造を有し、所定数のメモリセル2毎に少なくとも一対設けられるレファレンスセル16a,16bとを有する。選択されたメモリセル2を駆動する際に、同時に対応するレファレンスセル16a,16bを駆動し、メモリセル2の書き込み時には、一方のレファレンスセル16bには0データの書き込みを行い、他方のレファレンスセル16aには1データを書き込む。選択されたメモリセル2のデータ読み出し時に、対応する一対のレファレンスセル16a,16bのデータを読み出し、レファレンスセルのデータ(i1 ,i0)を、数式(1)に基づき組合せて、基準データ(ire)を作成する。基準データと、メモリセル2からの信号データとを比較することにより、データを判定する。

請求項（抜粋）：

電荷の蓄積量の増減ないしは極性の反転が可能なトランジスタを有する複数のメモリセルと、前記メモリセルを構成するトランジスタの厚さ方向と略同一の厚さ方向の構造を有するトランジスタ有し、所定数のメモリセル毎に少なくとも一対設けられるレファレンスセルと、選択された前記メモリセルを駆動する際に、対応するレファレンスセルも駆動し、メモリセルの書き込み時には、一方のレファレンスセルには1データの書き込みを行い、他方のレファレンスセルには0データを書き込む書き込み用駆動手段と、選択されたメモリセルのデータ読み出し時に、対応する一対のレファレンスセルのデータを読み出す読み出し用駆動手段と、読み出し用に選択された一対の前記レファレンスセルのデータ(i1 , i0 )を、下記数式(1)に基づき組合せて、基準データ(ire)または基準データ(ire)のk倍を作成する基準データ生成手段と、前記組み合せ手段で組み合わされた基準データ(ire)または基準データ(ire)のk倍と、前記選択されたメモリセルからの信号データまたは信号データのk倍とを比較することにより、選択されたメモリセルに蓄積されているデータを判定する比較手段とを有する不揮発性半導体メモリ装置。【数1】ire=(m×i1 +n×i0 )/k ... (1)ただし、m,n,kは正の数であり、m,nは、共にkよりも小さい。

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開昭62-076098
特開昭61-255597
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-278334 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (8件)

特開昭62-076098
特開昭62-076098
特開昭61-255597

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