特許
J-GLOBAL ID:200903089508170820

処理装置およびプラズマ装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-206791
公開番号(公開出願番号):特開2005-063986
出願日: 2003年08月08日
公開日(公表日): 2005年03月10日
要約:
【課題】近年では高密度プラズマや照射強度の強い、またエネルギーの高い光処理が用いられており、Oリングを用いて気密を保持する気密保持部において、接合される部位の隙間を抜けてプラズマや光が侵入してOリングに到達して、Oリングの劣化や酸素活性種などの活性種との反応している。【解決手段】本発明は、復元性を有する形状の導電性部材からなるプラズマ遮断手段12をOリング4の処理チャンバー1側(内側)に設けて、プラズマ及び処理ガスにより生成された活性種がOリング4へ到達することを遮断して、不純物の放出やOリング4の劣化を防止すると共に、処理される被処理基板9への汚染を防止する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
導入された処理ガスの雰囲気内でプラズマを発生する気密容器と、 前記気密容器の一面として取り付けられた誘電体窓部との封止面間に介在し、気密状態を保持するための気密保持手段と、 前記封止面上で、前記気密保持手段が設けられた位置よりも前記気密容器の内部側に設けられ、導電性材料からなり復元性を有する形状に成形されたプラズマ遮断手段と、を具備してなることを特徴とする処理装置。
IPC (3件):
H01L21/31 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065
FI (3件):
H01L21/31 C ,  C23C16/50 ,  H01L21/302 101G
Fターム (9件):
4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030KA10 ,  4K030KA43 ,  4K030LA15 ,  5F004BB32 ,  5F045BB08 ,  5F045BB20 ,  5F045EB10
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 特開平4-193970
  • 特開平1-287284
  • 特開昭63-089670
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