特許
J-GLOBAL ID：200903089530863561

負極および電池、並びにそれらの製造方法

発明者：
小西池 勇

小西池 勇 について

, 
川瀬 賢一

川瀬 賢一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-309997
公開番号（公開出願番号）：特開2007-122915
出願日： 2005年10月25日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】負極集電体と負極活物質層との密着性を確保しつつ応力を緩和し、特性を向上させることができる負極およびそれを用いた電池、並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】負極集電体11にSiを構成元素として含む負極活物質層12が設けられている。負極活物質層12は気相法により負極集電体11に成長させることにより形成した第1粒子を有する第1負極活物質層121と、第1負極活物質層121に塗布することにより堆積させた平均粒径0.2μm〜20μmの第2粒子を有する第2負極活物質層122とを備える。第1負極活物質層121は更に構成元素としてOを含み、その平均酸素含有量は3原子数%〜40原子数%が好ましい。第1負極活物質層121の厚みは0.01μm〜15μmが好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
負極集電体に負極活物質層が設けられた負極であって、 前記負極活物質層は、前記負極集電体に成長させることにより形成した複数の第1粒子を有する第1負極活物質層と、この第1負極活物質層に堆積させた複数の第2粒子を有する第2負極活物質層とを備え、 前記第1粒子および第2粒子は、構成元素としてケイ素(Si)を含み、 前記第2粒子の平均粒径は0.2μm以上20μm以下である ことを特徴とする負極。
IPC (6件)：
H01M 4/02 ,  H01M 4/38 ,  H01M 10/40 ,  H01M 4/04 ,  H01M 4/48 ,  H01M 6/16
FI (7件)：
H01M4/02 D ,  H01M4/38 Z ,  H01M10/40 Z ,  H01M10/40 A ,  H01M4/04 A ,  H01M4/48 ,  H01M6/16 Z
Fターム (48件)：
5H024AA01 ,  5H024AA11 ,  5H024BB00 ,  5H024BB01 ,  5H024BB08 ,  5H024CC03 ,  5H024CC04 ,  5H024CC12 ,  5H024CC16 ,  5H024DD14 ,  5H024FF11 ,  5H024HH13 ,  5H024HH15 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AJ14 ,  5H029AK03 ,  5H029AL11 ,  5H029AM02 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ03 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029BJ14 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ22 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ16 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ04 ,  5H029HJ05 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA08 ,  5H050CB02 ,  5H050CB11 ,  5H050FA17 ,  5H050FA18 ,  5H050GA02 ,  5H050GA22 ,  5H050GA24 ,  5H050HA02 ,  5H050HA04 ,  5H050HA05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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