特許
J-GLOBAL ID：200903017510560294

エネルギーデバイス及びその製造方法

発明者：
本田 和義

本田 和義 について

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大石 毅一郎

大石 毅一郎 について

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美藤 靖彦

美藤 靖彦 について

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中本 貴之

中本 貴之 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-314156
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183364
出願日： 2004年10月28日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】 シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質として備えたエネルギーデバイスの大容量化とサイクル特性の向上とを両立させる。【解決手段】 集電体層上に直接又は下地層を介して設けられる負極活物質薄膜がシリコンを主成分として含む2以上のシリコン薄膜を含む多層構造を有する。これにより、負極活物質薄膜の厚みを増大させても、シリコン薄膜の層数を増大させることにより、1層あたりのシリコン薄膜の厚みの増大を防止できる。従って、シリコン薄膜内で略逆円錐台状のシリコン粒子径が粗大化しない。よって、負極活物質層を厚くして大容量化を図ってもサイクル特性が劣化しない。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
集電体層と、前記集電体層上に直接又は下地層を介して設けられた負極活物質薄膜とを含むエネルギーデバイスであって、 前記負極活物質薄膜がシリコンを主成分として含む2以上のシリコン薄膜を含む多層構造を有することを特徴とするエネルギーデバイス。
IPC (4件)：
H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M10/40
FI (4件)：
H01M4/02 D ,  H01M4/04 A ,  H01M4/38 Z ,  H01M10/40 Z
Fターム (44件)：
5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK03 ,  5H029AL01 ,  5H029AL02 ,  5H029AL11 ,  5H029AL12 ,  5H029AL18 ,  5H029AM03 ,  5H029AM04 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ21 ,  5H029CJ24 ,  5H029CJ28 ,  5H029DJ16 ,  5H029DJ17 ,  5H029EJ04 ,  5H029EJ12 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ14 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA16 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB01 ,  5H050CB02 ,  5H050CB11 ,  5H050CB12 ,  5H050CB29 ,  5H050EA08 ,  5H050EA24 ,  5H050FA02 ,  5H050FA17 ,  5H050FA18 ,  5H050GA02 ,  5H050GA24 ,  5H050GA27 ,  5H050HA02 ,  5H050HA14
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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