特許
J-GLOBAL ID：200903089558227229

太陽電池

発明者：
菱田 有二

菱田 有二 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (3件)： 寺山 啓進 ,  伊藤 市太郎 ,  三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-040715
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200267
出願日： 2008年02月21日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】半導体層及び半導体基板が受けるダメージを抑制しつつ、収集電極層を微細な線幅で形成できる裏面接合型の太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池10は、第1半導体層12の両隣に配設される一対の第2半導体層14と、一方の第2半導体層14上から第1半導体層12上まで跨って形成される絶縁層16と、他方の第2半導体層14上から第1半導体層12上まで跨って形成される絶縁層16とを備える。透明電極層18及び収集電極層20は、絶縁層16上で第1方向に沿って形成される一対の分離溝30によって分離される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
受光面と、前記受光面の反対側に設けられる裏面とを有する半導体基板と、 前記裏面上において所定の方向に沿って形成される第1半導体層と、 前記裏面上において前記所定の方向に沿って形成され、前記第1半導体層の両隣に配設される一対の第2半導体層と、 前記一対の第2半導体層のうち一方の第2半導体層上から前記第1半導体層上まで跨って形成される第1絶縁層と、 前記一対の第2半導体層のうち他方の第2半導体層上から前記第1半導体層上まで跨って形成される第2絶縁層と、 前記第1半導体層及び前記第2半導体層を覆う透明電極層と、 前記透明電極層上に形成される収集電極層と を備え、 前記第1半導体層は、一導電型を有し、 前記一対の第2半導体層それぞれは、他導電型を有しており、 前記透明電極層及び前記収集電極層は、前記第1絶縁層上及び前記第2絶縁層上において前記所定の方向に沿って形成される一対の分離溝によって分離される ことを特徴とする太陽電池。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 31/042
FI (2件)：
H01L31/04 S ,  H01L31/04 C
Fターム (15件)：
5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA14 ,  5F051CA40 ,  5F051CB27 ,  5F051DA01 ,  5F051DA04 ,  5F051EA09 ,  5F051EA16 ,  5F051FA04 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5F051FA16
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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