特許
J-GLOBAL ID:200903064351203750

バックコンタクト太陽電池

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  松山 美奈子
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-539261
公開番号(公開出願番号):特表2008-519438
出願日: 2005年10月28日
公開日(公表日): 2008年06月05日
要約:
第1の受光表面及び第1の表面の反対側の第2の表面を有する、第1の導電型の半導体材料を含むウエハ;ウエハの第1の表面上に配置された第1のパッシベーション層;ウエハの第2の表面上に配置された第1の電気接点;ウエハの第2の表面上に配置され、第1の電気接点とは電気的に分離されている第2の電気接点;ウエハの第2の表面上の、少なくともウエハの第1の電気接点と第2の表面との間のウエハ上の領域内に配置された第2のパッシベーション層;及び第2のパッシベーション層と第1の接点との間の領域内に配置された、ウエハの導電型と反対の導電型の半導体材料を含む層;を含む太陽電池。
請求項(抜粋):
第1の受光表面及び第1の表面の反対側の第2の表面を有する、第1の導電型の半導体材料を含むウエハ; ウエハの第1の表面上に配置された第1のパッシベーション層; ウエハの第2の表面上に配置された第1の電気接点; ウエハの第2の表面上に配置され、第1の電気接点から電気的に分離されている第2の電気接点; ウエハの第2の表面上で少なくとも第1の電気接点とウエハの第2の表面との間のウエハ上の領域内に配置された第2のパッシベーション層;及び 第2のパッシベーション層と第1の接点との間の領域内に配置された、ウエハの導電型と反対の導電型の半導体材料を含む層; を含む太陽電池。
IPC (1件):
H01L 31/04
FI (1件):
H01L31/04 A
Fターム (13件):
5F051AA02 ,  5F051AA05 ,  5F051CB03 ,  5F051DA03 ,  5F051EA16 ,  5F051EA18 ,  5F051FA04 ,  5F051FA15 ,  5F051FA16 ,  5F051FA17 ,  5F051GA04 ,  5F051HA03 ,  5F051HA07
引用特許:
審査官引用 (10件)
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