特許
J-GLOBAL ID:200903064351203750
バックコンタクト太陽電池
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
社本 一夫
, 小野 新次郎
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 松山 美奈子
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-539261
公開番号(公開出願番号):特表2008-519438
出願日: 2005年10月28日
公開日(公表日): 2008年06月05日
要約:
第1の受光表面及び第1の表面の反対側の第2の表面を有する、第1の導電型の半導体材料を含むウエハ;ウエハの第1の表面上に配置された第1のパッシベーション層;ウエハの第2の表面上に配置された第1の電気接点;ウエハの第2の表面上に配置され、第1の電気接点とは電気的に分離されている第2の電気接点;ウエハの第2の表面上の、少なくともウエハの第1の電気接点と第2の表面との間のウエハ上の領域内に配置された第2のパッシベーション層;及び第2のパッシベーション層と第1の接点との間の領域内に配置された、ウエハの導電型と反対の導電型の半導体材料を含む層;を含む太陽電池。
請求項(抜粋):
第1の受光表面及び第1の表面の反対側の第2の表面を有する、第1の導電型の半導体材料を含むウエハ;
ウエハの第1の表面上に配置された第1のパッシベーション層;
ウエハの第2の表面上に配置された第1の電気接点;
ウエハの第2の表面上に配置され、第1の電気接点から電気的に分離されている第2の電気接点;
ウエハの第2の表面上で少なくとも第1の電気接点とウエハの第2の表面との間のウエハ上の領域内に配置された第2のパッシベーション層;及び
第2のパッシベーション層と第1の接点との間の領域内に配置された、ウエハの導電型と反対の導電型の半導体材料を含む層;
を含む太陽電池。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (13件):
5F051AA02
, 5F051AA05
, 5F051CB03
, 5F051DA03
, 5F051EA16
, 5F051EA18
, 5F051FA04
, 5F051FA15
, 5F051FA16
, 5F051FA17
, 5F051GA04
, 5F051HA03
, 5F051HA07
引用特許:
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