窒化チタン成膜の前処理方法および窒化チタン膜の成膜方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069198
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260455
出願日： 1993年03月03日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体基板に損傷を与えることなくその表面の清浄化を図るとともに、その半導体基板表面に窒化チタン膜を成膜することによりオーミック特性の向上を図る。【構成】半導体基板11に窒化チタン膜15を成膜する前に行う前処理方法であって、圧力雰囲気を非酸化性の真空度にした後、当該圧力雰囲気に希ガスを導入して希ガスによる低エネルギーのプラズマを発生させ、そのプラズマによって半導体基板11の表面を低いエネルギーでエッチングするソフトエッチングを行う。その後、希ガス雰囲気を半導体基板が酸化されない真空度の圧力雰囲気にし、さらに連続して、その圧力雰囲気に、窒化チタン膜を成膜するガスで酸化性ガスを含まないガスを導入して、半導体基板に窒化チタン膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に窒化チタン膜を成膜する前に行う前処理方法であって、圧力雰囲気を非酸化性の真空度にした後、当該圧力雰囲気に希ガスを導入して希ガスによる低エネルギーのプラズマを発生させ、そのプラズマによって前記半導体基板の表面を低いエネルギーでエッチングするソフトエッチングを行うことを特徴とする窒化チタン成膜の前処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-051630
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-079319 出願人：三菱電機株式会社

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