特許

J-GLOBAL ID：200903089611052720

電力用半導体装置

発明者： 佐々木 太志
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-151260
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340718
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 電極端子をインサートした枠体内に熱硬化性樹脂を充填した電力用半導体装置における前記電極端子間の沿面距離を短くし、前記枠体の小型化を図った。【解決手段】 上側開口部1bの開口端面1cからインサートされた電極端子6、6Aが露出すると共に、上側開口部1bの外周端縁に全周にわたって開口端面1cよりも突出した突起1dが形成された構成のケース1に、内包された電力用半導体素子4を封止すべく上側開口部1bから注型樹脂9を充填するに際して、突起1dを溢流防止壁として注型樹脂9を充填し、電極端子6、6Aの露出部周辺を覆う注型樹脂9の薄層9aを形成し、耐トラッキング性を改善して電極端子6、6Aの隣合う露出部間の沿面距離を短く形成可能にした。

請求項（抜粋）：

両端に開口部を有し、一方の開口部が電力用半導体素子を搭載した基板で塞がれ、前記電力用半導体素子を囲繞する筒状の枠体と、該枠体にインサートされ、一端が前記枠体の内壁側に露出して前記電力用半導体素子と接続されると共に他端が他方の開口部の開口端面に外部接続可能に露出した電極端子と、前記電力用半導体素子を封止すべく前記他方の開口部を密閉する封止樹脂とを備えた電力用半導体装置において、前記枠体は前記他方の開口部の外周端縁に前記開口端面における前記電極端子の露出部周辺よりも突出した壁部が形成され、前記封止樹脂は前記壁部を溢流防止壁として前記電極端子の露出部周辺を覆う薄層を形成するように充填されたことを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/28 K ,  H01L 23/30 B ,  H01L 25/04 C

Fターム (12件)：

4M109AA02 ,  4M109BA03 ,  4M109CA02 ,  4M109CA06 ,  4M109DA07 ,  4M109DB04 ,  4M109DB07 ,  4M109DB10 ,  4M109EA02 ,  4M109EC07 ,  4M109EE02 ,  4M109GA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-163040   出願人：株式会社東芝