液晶表示装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：西村征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-130421
公開番号（公開出願番号）：特開2002-328395
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】プロセス短縮を可能にし、かつ、信頼性の高い広視野角液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】ゲート電極金属層とゲート絶縁体とa-Si層とを積層し、アイランドをフォトリソグラフィー工程を用いたパターニングによって形成する工程と、層間絶縁膜23とドレイン電極金属層とを堆積し、ドレイン配線6をフォトリソグラフィー工程を用いたパターニングによって形成する工程と、有機絶縁膜21とを堆積し、有機絶縁膜21を貫通し、所定の位置にソース/ドレイン電極と接続するための有機絶縁膜コンタクトを、フォトリソグラフィー工程を用いたパターニングによって形成する工程と、透明導電膜を堆積し、画素電極10と共通電極11とを互い違いに配置するようにフォトリソグラフィー工程を用いたパターニングによって形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

共通電極,画素電極がTFTの保護膜上に配置され、液晶層に封止されている液晶分子の分子軸の方向をアクティブマトリックス基板表面と水平な表面で回転させて表示を行うことにより、広視野角表示を可能にした広視野角液晶表示装置の製造方法において、(a)透明絶縁性基板上に、ゲート電極金属層とゲート絶縁体とa-Si層とをこの順に積層し、ゲート電極とゲート絶縁膜と半導体層とからなるアイランドを、フォトリソグラフィー工程を用いたパターニングによって形成する工程と、(b)前記透明絶縁性基板上に、層間絶縁膜とドレイン電極金属層とをこの順に堆積し、所定の領域の前記ドレイン電極金属層を除去することによってドレイン配線を、フォトリソグラフィー工程を用いたパターニングによって形成する工程と、(c)前記透明絶縁性基板上に、絶縁膜を堆積し、前記絶縁膜を貫通し、所定の位置にソース/ドレイン電極と接続するための絶縁膜コンタクトを、フォトリソグラフィー工程を用いたパターニングによって形成する工程と、(d)前記透明絶縁性基板上に、透明導電膜を堆積し、不要な前記透明導電膜を除去し、クシ歯状の前記画素電極と前記共通電極とを互い違いに配置するようフォトリソグラフィー工程を用いたパターニングによって形成すると共に、前記ソース電極と前記画素電極とを接続し、かつ、前記ドレイン電極とドレイン線とを接続する工程とを含むことを特徴とする広視野角液晶表示装置の製造方法。

IPC (10件)：

G02F 1/1368 , G02F 1/1343 , G02F 1/1362 , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/336 , H01L 29/43 , H01L 29/786

FI (10件)：

G02F 1/1368 , G02F 1/1343 , G02F 1/1362 , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 21/28 301 R , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 627 C , H01L 21/88 B , H01L 29/62 G

Fターム (140件)：

2H092GA14 , 2H092GA29 , 2H092GA40 , 2H092JA23 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JB57 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092PA02 , 2H092PA09 , 2H092PA11 , 4M104AA09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD07 , 4M104DD71 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104HH13 , 5C094AA12 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA14 , 5C094DA15 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5C094ED03 , 5C094ED15 , 5C094FB01 , 5C094FB12 , 5C094FB15 , 5F033GG04 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ38 , 5F033KK08 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK20 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033PP15 , 5F033QQ01 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033SS08 , 5F033SS15 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX02 , 5F033XX33 , 5F110AA16 , 5F110AA24 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110HM19 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP34 , 5F110QQ02 , 5F110QQ04 , 5F110QQ19 , 5F110QQ30

引用特許：

審査官引用 (5件)

液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-204157 出願人：松下電器産業株式会社
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-099150 出願人：日本電気株式会社
液晶表示装置用基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-374490 出願人：富士通株式会社

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