半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康 , 出口智也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-030976
公開番号（公開出願番号）：特開2008-198731
出願日： 2007年02月09日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：

【課題】電界効果トランジスタの電流コラプスの影響をより効果的に低減することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体装置100は、ゲート電圧が印加される第1の端子101にゲートが接続され、電流が入力される第2の端子102に一端(ドレイン)が接続され、接地に他端(ソース)が接続された電界効果トランジスタ(FET)103と、第1の端子101とFET103のゲートとの間の接点104に一端(アノード)が接続されるとともに接地に他端(カソード)が接続された発光ダイオード(LED)105と、接点104と接地との間に、LED105と直列に接続された抵抗106と、を備える。半導体装置100において、LED105が出力する光が少なくともFET103に照射されるように、FET103とLED105とが配置されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ゲート電圧が印加される第1の端子にゲートが接続され、電流が入力される第2の端子に一端が接続され、接地に他端が接続された電界効果トランジスタと、前記第1の端子と前記電界効果トランジスタの前記ゲートとの間の接点に一端が接続されるとともに前記接地に他端が接続され、少なくとも前記電界効果トランジスタがオンして電流が流れるときに発光する発光ダイオードと、前記接点と前記接地との間に、前記発光ダイオードと直列に接続された抵抗と、を備え、前記発光ダイオードが出力する光が少なくとも前記電界効果トランジスタに照射されるように、前記電界効果トランジスタと発光ダイオードとが配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 27/095 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 33/00 , H01L 27/15

FI (8件)：

H01L29/80 E , H01L29/80 H , H01L27/04 H , H01L27/06 102A , H01L33/00 Z , H01L27/06 F , H01L27/15 H , H01L27/15 A

Fターム (34件)：

5F038AV01 , 5F038AZ10 , 5F038CA02 , 5F038CA12 , 5F038EZ02 , 5F038EZ07 , 5F038EZ20 , 5F041DC26 , 5F041FF16 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA17 , 5F048BB09 , 5F048BD09 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F102FA00 , 5F102GA17 , 5F102GA19 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS04 , 5F102GV05

引用特許：

出願人引用 (1件)

膜電極接合体及び膜電極接合体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-106558 出願人：日産自動車株式会社

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