特許

J-GLOBAL ID：200903089637205427

半導体基板内部のCu濃度の検出方法

発明者： 吉見 年弘 ,  エム・ビー・シャバニー
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-245472
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064133
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 シリコンウェーハ内部に拡散したCuの非破壊分析に関する手法を提供する。【解決手段】 P型シリコンウェーハを500°C・15分間大気中で加熱する。バルク中の80%以上のCuが表面側に移動する。表面側のCuはそのままTXRFで分析できる。ウェーハ表面にHF(2%)溶液を100〜200μlだけ滴下し、Cuを回収すれば、TXRF,AASで容易に分析が可能である。裏面側のCuも併せて回収・分析すれば、バルク中のCuの総量を測定できる。この結果、バルク中のCu汚染を確実に把握できる。検出は、1.6×1010atoms/cm3程度の高感度で行うことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を600°C以下の温度で加熱する工程と、この半導体基板表面のCu濃度を測定する工程と、を備えた半導体基板内部のCu濃度の検出方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/31

FI (2件)：

H01L 21/66 N ,  G01N 21/31 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 金属、及び半導体中の微量元素分析方法、及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-094583   出願人：新日本製鐵株式会社