特許

J-GLOBAL ID：200903089651014561

位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクの製造方法

発明者： 吉川 博樹 ,  稲月 判臣 ,  岡崎 智
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-067737
公開番号（公開出願番号）：特開2004-318087
出願日： 2004年03月10日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【解決手段】 透明基板上に2層以上で構成された位相シフト膜を設けてなる位相シフトマスクブランクにおいて、上記位相シフト膜は、表層がジルコニウムシリサイド化合物を主成分とした組成であり、基板側がモリブデンシリサイド化合物を主成分とした組成であり、少なくとも一の層とこれと組成の異なる隣接した他の層との間に、上記一の層組成から他の層組成に組成がなだらかに傾斜した層を有することを特徴とする位相シフトマスクブランク。 【効果】 本発明によれば、上記の構成をとることでマスクパターン形成時のエッチ断面形状を改善した位相シフトマスクを製造可能とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

透明基板上に2層以上で構成された位相シフト膜を設けてなる位相シフトマスクブランクにおいて、上記位相シフト膜は、表層がジルコニウムシリサイド化合物を主成分とした組成であり、基板側がモリブデンシリサイド化合物を主成分とした組成であり、少なくとも一の層とこれと組成の異なる隣接した他の層との間に、上記一の層組成から他の層組成に組成がなだらかに傾斜した層を有することを特徴とする位相シフトマスクブランク。

IPC (2件)：

G03F1/08 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P

Fターム (4件)：

2H095BB03 ,  2H095BC05 ,  2H095BC14 ,  2H095BC24

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-285327   出願人：アルバック成膜株式会社, 三菱電機株式会社