特許

J-GLOBAL ID：200903089653999034

静電気保護回路が内蔵された半導体装置

発明者： 大川 和彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-172298
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351986
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 静電気の印加後に速やかにツェナーダイオードをブレークダウンさせ、高利得のサイリスタにて応答性よく静電気を放電させ、しかも小面積の静電気保護回路を備えた半導体装置を提供すること。【解決手段】 静電気が印加されると、ツェナーダイオード150をブレークダウンさせ、それをトリガとして、NPNバイポーラトランジスタ162及びPNPバイポーラトランジスタ164から成るサイリスタ160をオンさせる。PNPバイポーラトランジスタ164は、基板の深さ方向に形成したP型、N型及びP型不純物拡散領域122,126,128にて形成され、ツェナーダイオード150は、N型及びP型不純物拡散領域126,128にて形成される。表層のP型不純物拡散領域122と隣接してN型不純物拡散領域124が設けられ、これらの拡散領域122,124は、その表面に形成したシリサイド層130を介して信号端子140に接続される。

請求項（抜粋）：

信号端子に印加される正極性の静電気をVSS電源線側に放電させる静電気保護回路を内蔵した半導体装置において、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたP型及びN型ウェル領域と、前記P型ウェル領域の表層に形成された第1のP型不純物拡散領域と、前記P型ウェル領域の表層にて形成され、前記第1のP型不純物拡散領域と電気的に絶縁された第1のN型不純物拡散領域と、前記P型ウェル領域の表層に形成され、前記第1のN型不純物拡散領域と電気的に絶縁された第2のP型不純物拡散領域と、前記第2のP型不純物拡散領域と隣接して、前記P型及びN型ウェル領域の表層に形成された第2のN型拡散領域と、前記P型ウェル領域にて、前記第2のP型及び第2のN型不純物拡散領域の下面に接合された第3のN型不純物拡散領域と、前記第3のN型不純物拡散領域の下面に接合された第3のP型不純物拡散領域と、前記第2のP型及びN型不純物拡散領域の表面に形成された低抵抗層と、を有し、前記第3のN型及びP型不純物拡散領域同士のPN接合にてツェナーダイオードが構成され、前記第1のN型不純物拡散領域、前記Pウェル領域及び前記Nウェル領域にてNPNバイポーラトランジスタが構成され、前記第2のP型不純物拡散領域、前記第3のN型不純物拡散領域及び前記第3のP型不純物拡散領域にてPNPバイポーラトランジスタが構成され、前記信号端子が、前記低抵抗層を介して前記第2のP型及びN型不純物拡散領域に接続され、前記VSS電源線が、第1のP型及びN型不純物拡散領域に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/08 102 F ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/74 G ,  H01L 29/78 301 K

Fターム (27件)：

5F005CA01 ,  5F038BH02 ,  5F038BH05 ,  5F038BH06 ,  5F038BH13 ,  5F038CA02 ,  5F038CD19 ,  5F038EZ12 ,  5F040DA14 ,  5F040DB06 ,  5F040DB07 ,  5F040DC01 ,  5F048AA01 ,  5F048AA02 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG11 ,  5F048CA01 ,  5F048CC00 ,  5F048CC06 ,  5F048CC10 ,  5F048CC15 ,  5F048CC16 ,  5F048CC18 ,  5F048CC19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-148553   出願人：日本電気株式会社
• 静電気放電保護回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-101176   出願人：華邦電子股ふん有限公司
• 特開昭62-002660