特許

J-GLOBAL ID：200903089679608165

真空浸炭方法およびこれを実施する浸炭炉

発明者： 山口 和嘉 ,  倉田 晴弘 ,  松原 周
出願人/特許権者： 光洋サーモシステム株式会社
代理人 (1件)： 岸本 瑛之助 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-056594
公開番号（公開出願番号）：特開2001-240954
出願日： 2000年03月02日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：

【要約】【課題】 エチレンと水素を真空浸炭用ガスとして用いたときに、浸炭室内におけるエチレン分子の数が浸炭の初期から終期にかけて実質的に増加しない真空浸炭方法を実施する浸炭炉を提供する。【解決手段】 内部にてワークを浸炭処理する浸炭室2と、エチレンガスと水素ガスとを含む真空浸炭用ガスを浸炭室2内のワークに上方から供給する真空浸炭用ガス給気手段4と、浸炭室2内のガスをワークの下方から吸い出す真空排気手段6とを備えている真空浸炭炉である。エチレンガスの分子数の増減を検知する増減検知手段33と増減検知手段33により検知されたエチレンガスの分子数の増減に基づいて浸炭室2から排気される真空浸炭用ガスの排気量を調整する排気量調整手段7とを設ける。

請求項（抜粋）：

エチレンガスと水素ガスとを含む真空浸炭用ガスを浸炭室に給気するととともに給気された真空浸炭用ガスを排気する真空浸炭方法において、浸炭の初期から終期にかけて浸炭室内のエチレン分子数が実質的に増加しないことを特徴とする真空浸炭方法。

IPC (4件)：

C23C 8/20 ,  C21D 1/06 ,  C21D 1/773 ,  F27D 7/06

FI (5件)：

C23C 8/20 ,  C21D 1/06 A ,  C21D 1/773 J ,  F27D 7/06 A ,  F27D 7/06 C

Fターム (14件)：

4K028AA01 ,  4K028AC03 ,  4K028AC08 ,  4K063AA05 ,  4K063AA15 ,  4K063AA16 ,  4K063BA02 ,  4K063CA03 ,  4K063DA01 ,  4K063DA15 ,  4K063DA19 ,  4K063DA28 ,  4K063DA33 ,  4K063DA34

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 真空浸炭方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-149696   出願人：株式会社不二越