特許

J-GLOBAL ID：200903089681439052

半導体素子およびその製造方法

発明者： 畑 雅幸 ,  國里 竜也 ,  冨永 浩司 ,  松下 保彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  鳥取三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-371328
公開番号（公開出願番号）：特開2004-048076
出願日： 2003年10月30日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】 良好な結晶性を有する素子構成層を備え、特性の優れた半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上1に窒化物半導体からなる素子構成層20を備える半導体素子であって、前記基板1上に、単結晶成長温度よりも低い低温で形成された第1バッファ層2Aと、単結晶成長温度で形成され、第1バッファ層2Aに接するGa及びInを含まない第2バッファ層2Bとをこの順に備え、前記素子構成層20が、前記第2バッファ層2A上に形成されていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物半導体からなる素子構成層を備える半導体素子であって、前記基板上に、単結晶成長温度よりも低い低温で形成された多層膜からなる第1バッファ層と、単結晶成長温度で形成され、前記第1バッファ層に接するGa及びInを含まない窒化物からなる層を有する第2バッファ層とをこの順に備え、前記素子構成層が、前記第2バッファ層上に形成されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/205

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (22件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA57

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-81482号
  
• 発光ダイオード、窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-199778   出願人：日立電線株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-300996   出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社