半導体素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-300996
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133842
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【目的】良好な結晶性を有する素子構成層を備え、特性の優れた半導体素子を提供することを目的とする。【構成】基板上1に窒化物半導体からなる素子構成層20を備える半導体素子であって、前記基板1上に、単結晶成長温度よりも低い低温で形成された第1バッファ層2Aと、単結晶成長温度で形成された第2バッファ層2Bとをこの順に備え、前記素子構成層20が、前記第2バッファ層2A上に形成されていることを特徴とする

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物半導体からなる素子構成層を備える半導体素子であって、前記基板上に、単結晶成長温度よりも低い低温で形成された第1バッファ層と、単結晶成長温度で形成された第2バッファ層とをこの順に備え、前記素子構成層が、前記第2バッファ層上に形成されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 33/00 , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01L 31/10 , H01S 5/02

FI (5件)：

H01L 33/00 C , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01S 3/18 610 , H01L 31/10 A

Fターム (71件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA26 , 4K030BA37 , 4K030BA38 , 4K030BA47 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030LA18 , 5F041AA11 , 5F041AA12 , 5F041AA40 , 5F041AA43 , 5F041CA05 , 5F041CA22 , 5F041CA34 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041FF14 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AA17 , 5F045AB09 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD10 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA58 , 5F045HA12 , 5F049MA01 , 5F049MB07 , 5F049NA07 , 5F049PA03 , 5F049PA04 , 5F049QA16 , 5F049QA18 , 5F049SS01 , 5F049WA03 , 5F049WA05 , 5F049WA09 , 5F073AA55 , 5F073AA71 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB08 , 5F073DA05 , 5F073DA25 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (6件)

GaN層および緩衝層の成長法およびその構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-092337 出願人：財団法人工業技術研究院
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-190069 出願人：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
窒化物半導体の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-237501 出願人：日亜化学工業株式会社

全件表示

前のページに戻る