特許

J-GLOBAL ID：200903089734634855

半導体容量形加速度センサ

発明者： 小林 光男 ,  上▲やなぎ▼ 勝道
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-185828
公開番号（公開出願番号）：特開平7-043380
出願日： 1993年07月28日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】小型で検出感度が高く、かつ検出出力を線形特性とする。【構成】半導体基板1と、それぞれ導電性の半導体からなり、この半導体基板1の上面に絶縁層1Aを介して四角形の各隅に設けられた支持体21A,21B,21C,21Dと、これら各支持体にその一端が結合されそれぞれ回転移動で合致するこの四角形の辺方向の梁26A,26B,26C,26Dと、これら梁に所定の間隙を隔てて設けられた四角形の可動電極23と、この可動電極と前記各梁をそれぞれ結合する連結体27A,27B,27C,27Dと、可動電極23の下面に所定の間隙を隔てて設けられた固定電極31とで構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、それぞれ導電性の半導体からなりこの半導体基板の上面に絶縁層を介して正多角形の各隅に設けられた複数個の支持体と、これら各支持体にその一端が結合されそれぞれ回転移動で合致するこの正多角形の辺方向の梁と、これら梁に所定の間隙を隔てて設けられた正多角形の可動電極と、この可動電極と前記各梁の他端とをそれぞれ結合する連結体と、この可動電極の下面に所定の間隙を隔てて前記半導体基板の上面に絶縁層を介して設けられた固定電極とからなることを特徴とする半導体容量形加速度センサ。

IPC (2件)：

G01P 15/125 ,  H01L 29/84

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-094168
  
• 加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-305342   出願人：日本電装株式会社
• 特開昭58-129318