特許
J-GLOBAL ID：200903089737466481

半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法

発明者：
清水 達雄

清水 達雄 について

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山口 豪

山口 豪 について

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西川 幸江

西川 幸江 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-108050
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294564
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 Si基板上に高誘電体材料を成膜したとき、界面ダングリングボンドが多量に残留し、表面欠陥密度(Dit)の増大・移動度の低下・界面反応性の増大・低誘電率層の発生といった重大な問題が発生している。更に高誘電体をゲート絶縁膜に使うと、バンドオフセットが十分に取れない場合がある。【解決手段】 Siを主成分とする半導体基板上に形成した非金属シリサイド薄膜を用いることで、反応性が低く、水素終端よりも安定な構造が得られる。そのため界面荒れが抑えられ、その結果、表面欠陥密度(Dit)の増大・移動度の低下・界面反応性の増大・低誘電率層の発生という問題が抑えられる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Siを主成分とする半導体基板上に形成された非金属シリサイド薄膜により前記半導体基板のSiのダングリングボンドが終端されていることを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2件)：
H01L29/78 ,  H01L21/322
FI (2件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/322 Z
Fターム (14件)：
5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE01 ,  5F140BF01 ,  5F140BF10 ,  5F140BG30
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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