特許

J-GLOBAL ID：200903089762027700

レジストパターン形成方法

発明者： 中田 勝之 ,  高井 充 ,  服部 一博
出願人/特許権者： TDK株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-303170
公開番号（公開出願番号）：特開2005-070650
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：

【課題】 ラインエッジラフネスの小さいレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 レジスト層を塗布する下地材料をアモルファス構造を有するものとし、露光用電子線を照射して潜像を形成した後に現像して当該レジスト層に所定の凹凸パターンを形成する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

アモルファス構造を有する支持基材の上にレジスト層を形成し、露光用電子線を照射して潜像を形成した後に現像して当該レジスト層に所定の凹凸パターンを形成するレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F7/20 ,  G03F7/09 ,  G11B5/84 ,  G11B5/855 ,  H01L21/027

FI (7件)：

G03F7/20 501 ,  G03F7/20 504 ,  G03F7/09 501 ,  G11B5/84 Z ,  G11B5/855 ,  H01L21/30 541M ,  H01L21/30 502D

Fターム (27件)：

2H025AA03 ,  2H025AB20 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA20 ,  2H025FA17 ,  2H097AA03 ,  2H097CA16 ,  2H097FA03 ,  2H097FA06 ,  2H097LA20 ,  5D112AA02 ,  5D112AA05 ,  5D112AA20 ,  5D112AA24 ,  5D112BA10 ,  5D112GA02 ,  5D112GA20 ,  5F046AA25 ,  5F046AA28 ,  5F046BA10 ,  5F046CA10 ,  5F046CB17 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056FA08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 磁気ディスク、磁気ディスクの製造方法、及び磁気記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-191846   出願人：株式会社東芝
• 光ディスク原盤、光ディスク基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-189491   出願人：株式会社日立製作所