特許
J-GLOBAL ID：200903089838444586
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-345293
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183563
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 複数のフォトダイオードを有するフォトICにおいてフォトダイオード間のクロストークを低減する。【構成】 フォトICにおいて、クロストークの原因となる浮遊キャリヤを吸い込む半導体領域2cを隣接するフォトダイオード間に設けることによりフォトダイオード間のクロストークを低減する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基体と、上記第1導電型の半導体基体上に互いに分離して設けられた複数の第2導電型の半導体層とを有し、上記第1導電型の半導体基体と上記複数の第2導電型の半導体層とにより複数のフォトダイオードが構成されている半導体装置において、上記複数の第2導電型の半導体層のうちの少なくとも一対の互いに隣接する第2導電型の半導体層の間の部分に浮遊キャリヤを吸い込むための第2導電型の半導体領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 Z
