特許
J-GLOBAL ID：200903089841201201
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311665
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326858
出願日： 1985年11月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 一つの基板上に種々の特性のトランジスタをもつ半導体装置を提供する。【構成】 絶縁膜(INSULATOR)の上にn型の不純物層を少なくとも2つ、P型の不純物層を少なくとも2つ形成し、それぞれの不純物層には、トランジスタがそれぞれ1つ以上形成され、それぞれの不純物層にたがいに異なる電圧が印加される。【効果】 それぞれのウエルが電気的に分離されているので、素子ごとに異なる特性をもたせることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、該絶縁性基板の上の第1の領域に設けられた第1の導電型の第1の不純物層と、上記絶縁性基板の上記第1の領域と異なる第2の領域に設けられた第2の導電型の第2の不純物層と、上記第2の領域を挾んで上記第1の領域と分離した第3の領域に形成された上記第1の導電型の第3の不純物層と、上記第3の領域を挾んで上記第2の領域と分離した第4の領域に形成された上記第2の導電型の第4の不純物層と、上記第1の不純物層に形成された第2導電型チャネルの第1のMOSトランジスタと、上記第2の不純物層に形成された第1導電型チャネルの第2のMOSトランジスタと、上記第3の不純物層に形成された第2導電型チャネルの第3のMOSトランジスタと、上記第4の領域に形成された上記第1導電型チャネルの第4のMOSトランジスタとを有し、上記第1の不純物層に印加される第1の電圧と上記第2の不純物層に印加される第2の電圧と上記第3の不純物層に印加される第3の電圧と上記第4の不純物層に印加される第4の電圧はそれぞれ互いに異なる電圧であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/06 321 C
, H01L 27/06 321 E
