特許
J-GLOBAL ID：200903089841923860
化合物半導体の成長方法及び化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-190818
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064250
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：
【要約】【課題】 本発明では、特にGaAs基板上に形成する化合物半導体において、結晶性が良好で抵抗率の低い化合物半導体の成長方法及び電気的及び光学的特性が良好な化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明では、GaAs基板上に、InxGayAl1-x-yN層(0≦x,y≦1)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該InxGayAl1-x-yN層に、原子半径がNよりも大きいV族元素を1×1017cm-3から1×1023cm-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含む化合物半導体の成長方法を提供する。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上に、InxGayAl1-x-yN層(0≦x,y≦1)を成長させる化合物半導体の成長方法において、該InxGayAl1-x-yN層に、原子半径がNよりも大きいV族元素を1×1017cm-3から1×1023cm-3までの濃度範囲だけ添加する工程を含むことを特徴とする化合物半導体の成長方法。
IPC (2件)：
H01S 5/323 610
, H01L 33/00
H01S 5/323 610
, H01L 33/00 C
5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073CB19
, 5F073DA05
