特許
J-GLOBAL ID：200903089854439908
結像特性評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-289787
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135110
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 高いSN比の検出信号を得て、高精度に投影系の結像特性を評価する。【解決手段】 ウエハステージの上板21aに固定された評価用基板30上に種々のマーカ37A〜37Cを形成しておき、投影系による評価用パターンの投影像とマーカ37A〜37C中の対応するマーカとを相対的に走査して、そのマーカからの反射電子を検出して、その投影系の結像特性を評価する。評価用基板30を平均原子番号の小さい薄い基板から形成し、マーカ37A〜37Cを平均原子番号の大きい材料の厚い膜から形成し、評価用基板30の底面にこの評価用基板30を透過した電子線を吸収するための電子線吸収体32を配置する。
請求項（抜粋）：
所定の荷電粒子線のもとで第1面上のパターンの像を第2面上に投影する投影系の結像特性評価方法において、前記第1面上に評価用パターンを配置し、前記第2面上に平均原子番号が14以下で厚さが3μm以下の材料よりなる薄膜体を配置すると共に、該薄膜体の表面に平均原子番号が47以上で厚さが0.01μm以上の材料よりなり前記評価用パターンに対応する形状のマーカを形成しておき、前記荷電粒子線のもとで前記評価用パターンの前記投影系による像と前記薄膜体とを相対走査したときに前記マーカから発生する反射荷電粒子線、又は2次電子の強度に基づいて、前記投影系の結像特性を評価することを特徴とする結像特性評価方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G01B 15/00
, G03F 7/20 504
, H01L 21/66
H01L 21/30 541 S
, G01B 15/00 B
, G03F 7/20 504
, H01L 21/66 J
, H01L 21/30 502 V
, H01L 21/30 541 K
