特許

J-GLOBAL ID：200903089857397696

III-V族化合物半導体ウェハおよびその製造方法

発明者： 西浦 隆幸 ,  宮嶋 秀樹
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-033777
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223191
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 表面にV族元素が析出せず、品質の高いIII-V族化合物半導体ウェハを提供する。【解決手段】 表面において、1cm2当りの酸性物質の原子の個数が5×1012以下であるIII-V族化合物半導体ウェハ。

請求項（抜粋）：

表面において、1cm2当りの酸性物質の原子の個数が5×1012以下であることを特徴とする、III-V族化合物半導体ウェハ。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 21/304 622 Q ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/02 B

Fターム (5件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE46 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-250132
  
• クリーンルーム、半導体素子製造方法、半導体素子製造用処理室、半導体素子製造装置および半導体素子用部材の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-198682   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭63-250132