クリーンルーム、半導体素子製造方法、半導体素子製造用処理室、半導体素子製造装置および半導体素子用部材の洗浄方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-198682
公開番号（公開出願番号）：特開平11-044443
出願日： 1997年07月24日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：

【要約】【課題】ウェハへのLMCSの吸着を防ぐことおよびウェハに吸着したLMCSを除去すること。【解決手段】 ?@半導体素子を製造するクリーンルームに使用されるシール材をフッ素系シール材とする。?Aシール材にシリコンシール材を用いていて、クリーンルーム内に露出しているシール材の表面は、電気絶縁性を有し機械的に安定で耐老化性を有し加工性に優れおよび接着性に優れた材料で被覆してある。?BLMCSを発生する工程を行う雰囲気内で発生したLMCSの材料を高エネルギー状態下で粒子化した後、除去してLMCSを発生する工程を行う雰囲気とは隔離された雰囲気中でこの工程以外の工程を行う。?C半導体素子を製造する装置内への外気吸入口に活性炭を用いたケミカルフィルタが設けられている。?D半導体素子製造装置内に不活性ガスを充満させた予備バッファ室を設け、この室内でLMCSで汚染された半導体素子用部材を加熱処理する。

請求項（抜粋）：

半導体素子を製造するクリーンルームに使用されるシール材として、フッ素系シール材を用いていることを特徴とするクリーンルーム。

IPC (7件)：

F24F 7/06 , H01L 21/02 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 341 , H01L 21/31 , H01L 21/68

FI (7件)：

F24F 7/06 C , H01L 21/02 D , H01L 21/304 341 D , H01L 21/31 E , H01L 21/68 A , H01L 21/30 502 Z , H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (18件)

シロキサン除去装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-305335 出願人：日本電気株式会社
管継手
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-147799 出願人：三興工業株式会社
微量汚染状態調査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-267265 出願人：富士通株式会社

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