特許
J-GLOBAL ID：200903089864356350

有機半導体装置製造用基板、有機半導体装置およびその製造方法

発明者：
中本 憲史

中本 憲史 について

, 
藤田 佳孝

藤田 佳孝 について


出願人/特許権者：
日本曹達株式会社

日本曹達株式会社 について


代理人 (1件)： 大石 治仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-196985
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019121
出願日： 2005年07月06日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】より高い配向秩序を有する有機半導体膜を、より簡便且つ効率よく形成できる有機半導体装置形成用基板、この基板を用いる有機半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、該基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された有機薄膜とを有する有機半導体装置製造用基板であって、前記有機薄膜が、式(1):Rn-Si-X4-n(式中、Rは置換基を有していてもよいC1〜20の炭化水素基等を、Xは水酸基等を、nは1〜3の整数を表す。)で示されるシラン系界面活性剤、及び該シラン系界面活性剤と相互作用し得る触媒を含む有機薄膜形成用溶液から形成された有機薄膜であることを特徴とする有機半導体装置製造用基板、この基板に、ソース電極、ドレイン電極、半導体膜および保護膜を有する有機半導体装置、並びにこの有機半導体装置の製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成された有機薄膜とを有する有機半導体装置製造用基板であって、前記有機薄膜が、式(1):Rn-Si-X4-n(式中、Rは置換基を有していてもよいC1〜20の炭化水素基、置換基を有していてもよいC1〜20のハロゲン化炭化水素基、連結基を含むC1〜20の炭化水素基、または連結基を含むC1〜20のハロゲン化炭化水素基を表し、Xは水酸基、ハロゲン原子、C1〜6のアルコキシ基またはアシルオキシ基を表し、nは1〜3の整数を表す。)で示されるシラン系界面活性剤、及び該シラン系界面活性剤と相互作用し得る触媒を含む有機薄膜形成用溶液から形成された有機薄膜であることを特徴とする有機半導体装置製造用基板。
IPC (5件)：
H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/312 ,  H01L 51/30
FI (6件)：
H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616N ,  H01L21/312 C ,  H01L21/312 M ,  H01L29/28 280
Fターム (100件)：
4J246AA03 ,  4J246BA010 ,  4J246BA110 ,  4J246BB020 ,  4J246CA120 ,  4J246CA130 ,  4J246CA190 ,  4J246CA230 ,  4J246CA240 ,  4J246CA260 ,  4J246CA390 ,  4J246CA400 ,  4J246CA440 ,  4J246CA450 ,  4J246CA460 ,  4J246CA520 ,  4J246CA530 ,  4J246CA580 ,  4J246CA760 ,  4J246FA061 ,  4J246FA071 ,  4J246FA431 ,  4J246FA451 ,  4J246FB041 ,  4J246FB051 ,  4J246FB081 ,  4J246FB091 ,  4J246FC031 ,  4J246FC051 ,  4J246FC091 ,  4J246FC101 ,  4J246FC111 ,  4J246FC131 ,  4J246FC181 ,  4J246FC191 ,  4J246FC281 ,  4J246GC51 ,  4J246HA63 ,  4J246HA66 ,  5F058AA10 ,  5F058AB06 ,  5F058AB07 ,  5F058AC02 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AD04 ,  5F058AD05 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AD12 ,  5F058AF01 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01 ,  5F058BA20 ,  5F058BB06 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BD19 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF12 ,  5F058BF17 ,  5F058BJ01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110NN04 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (2件)

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