特許
J-GLOBAL ID：200903089865431984
半導体装置およびそれを用いた高周波回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-154524
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349113
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】 素子の狭い活性領域の電極上に直接バンプ電極を形成しながら、配線基板などに熱圧着する際に、狭い領域に圧力が集中して活性領域を破損したり、接着強度不足が起こらない構造の高周波用の半導体装置を提供する。【解決手段】 基板1上に少なくともn+ 型半導体層2およびp+ 型半導体層4を含む半導体積層部5が形成され、下層のn+ 型半導体層2が露出するように動作領域6がメサ型にエッチングされている。そして、露出するn+ 型半導体層2上にn側電極7が、上層のp+ 型半導体層4上にp側電極8がそれぞれ設けられている。さらに、動作領域6の横側にその動作領域6が中心部に位置するように、半導体積層部5からなるメサ部9、10が設けられ、その一つにn側電極7と電気的に接続して、第1のバンプ電極11が、p側電極8上に第2のバンプ電極12が、残りのメサ部に第3のバンプ電極13がそれぞれ設けられている。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に少なくとも第1導電型半導体層および第2導電型半導体層を含む半導体層が積層される半導体積層部と、該半導体積層部が下層の第1導電型半導体層が露出するようにメサ型にエッチングされることにより形成される動作領域と、前記露出する第1導電型半導体層上に設けられる第1の電極と、前記動作領域の上層の第2導電型の半導体層上に設けられる第2の電極と、前記動作領域の横側に設けられる前記半導体積層部からなる少なくとも2つのメサ部と、該少なくとも2つのメサ部の1つに前記第1の電極と電気的に接続して設けられる第1のバンプ電極と、前記第2の電極上に設けられる第2のバンプ電極と、前記メサ部の残りの表面に前記第1および第2の電極と電気的に独立して設けられる第3のバンプ電極とからなる半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/92 602 N
, H01L 21/92 604 B
, H01L 31/10 H
5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA03
, 5F049NA08
, 5F049NA14
, 5F049NA15
, 5F049PA14
, 5F049PA15
, 5F049QA02
, 5F049SE09
, 5F049SE11
, 5F049SS04
, 5F049TA03
, 5F049TA20
