特許
J-GLOBAL ID：200903089871821590
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-001866
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191064
出願日： 1995年01月10日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 脱ガス量が少なく、エッチングレートの低い良質な層間絶縁膜を、より低い熱処理温度で半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 Si-H結合を含む酸化ケイ素質絶縁物質前駆体の溶液を半導体基板上に塗布した後、N2O ガスの濃度が25体積%を超えて 100体積%以下の雰囲気で 330°Cを超えて 450°C以下の温度で熱処理し、又はNH3 ガスの濃度が1体積%を超えて 100体積%以下の雰囲気中で 330°Cを超えて 450°C以下の温度で熱処理し、又は H2Oガスの濃度が 0.5ppm を超えて7体積%未満の雰囲気中で 330°Cを超えて 450°C以下の温度で熱処理し、又は真空度が0.05Torrを超えて 200Torr未満の真空雰囲気中で 330°Cを超えて 450°C以下の温度で熱処理して層間絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に層間絶縁膜を形成するに当たり、Si-H結合を含むSiO2前駆体の溶液を半導体基板上に塗布した後、N2O ガスの濃度が25体積%を超えて 100体積%以下の雰囲気中で、330 °Cを超えて 450°C以下の温度で熱処理して層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, H01L 21/316
, H01L 21/768
H01L 21/94 Z
, H01L 21/90 K
, H01L 21/90 P
