特許
J-GLOBAL ID：200903089892419198

読み出し専用メモリ

発明者：
内田 浩文

内田 浩文 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-051527
公開番号（公開出願番号）：特開2001-243783
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】 選択されないメモリセルのオフリーク電流の影響を排除し、大容量でも読み出し誤りが発生しないROMを提供する。【解決手段】 補正電流生成部10の並列接続されたNMOS111〜11nは、すべてオフ状態に設定されPMOS15からオフリーク電流が供給される。各カラム線CL1〜CLm及び基準カラム線CLrには、それぞれPMOS15に対して電流ミラー回路を構成するPMOS161〜16m,17が接続されている。これにより、カラム線CL1〜CLm及び基準カラム線CLrに接続された選択されないメモリセル1i,j,5jのオフリーク電流に対応する補正電流がPMOS161〜16m,17から供給される。従って、オフリーク電流によるビット線BL及び基準ビット線BLrの電位変化が排除され、読み出し誤りは発生しない。
請求項（抜粋）：
選択信号に対応して活性化される複数の選択線と、前記複数の選択線に交差して配置された読み出し線と、前記複数の選択線と前記読み出し線の交差箇所に選択的に配置され、活性化された該選択線によってオン状態となる絶縁ゲート型トランジスタで構成された複数のメモリセルと、前記複数の選択線に交差して配置された基準読み出し線と、前記複数の選択線と前記基準読み出し線の各交差箇所に配置され、活性化された該選択線によってオン状態となる絶縁ゲート型トランジスタで構成された複数の基準メモリセルと、前記読み出し線と前記基準読み出し線の電位差に基づいて、前記選択信号で指定された選択線と該読み出し線の交差箇所のメモリセルの状態を判定するセンスアンプと、前記読み出し線に接続されて前記選択線で指定されていないメモリセルに流れるオフリーク電流に対応する補正電流を生成して該読み出し線及び前記基準読み出し線に供給する補正電流供給手段とを、備えたことを特徴とする読み出し専用メモリ。
Fターム (4件)：
5B025AA07 ,  5B025AC01 ,  5B025AD07 ,  5B025AE08
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-044173   出願人：株式会社東芝
  • 特開平3-242898
  • 特開平3-263693

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