特許
J-GLOBAL ID：200903077141440568

半導体集積回路

発明者：
渥美 滋

渥美 滋 について

, 
田浦 忠行

田浦 忠行 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044173
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241382
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】メモリセルに流れるリーク電流をチェックする時でも高い読み出しマージンを得ることができ、また、全体としての面積増大を防ぐことができかつ通常の読み出し時における交流特性の悪化も防止する。【解決手段】リーク電流源36と、この電流源の電流が供給されるカレントミラー回路39と、このカレントミラー回路39の出力電流を差動増幅器33の入力ノードN1に供給するスイッチ40と、上記入力ノードN1に読み出し時の負荷電流を供給する負荷回路38と、上記負荷回路38と電源電圧VDDとの間に接続されたスイッチ37と、メモリセルMCが接続されたビット線BLと、このビット線BLと上記入力ノードN1との間に接続されたMOSトランジスタ31と、上記リーク電流源36とビット線BLとの間に接続されたスイッチ35とを具備している。
請求項（抜粋）：
選択時に、記憶データに応じて導通状態が変わるメモリセルと、上記メモリセルの記憶データをセンスするセンス回路と、上記メモリセルを上記センス回路のセンスノードに接続する手段と、上記メモリセルを非選択状態に設定してメモリセルに流れるリーク電流を検出する第1のモード時に、この検出すべきリーク電流に相当する値の電流を上記センスノードに負荷電流として供給する手段と、上記メモリセルを選択状態に設定して記憶データをセンスする第2のモード時に、上記検出すべきリーク電流に相当する値の電流を上記センスノードから流し出す手段とを具備したことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
G11C 16/04 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/06
FI (3件)：
G11C 17/00 621 A ,  G11C 17/00 612 F ,  G11C 17/00 634 C
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (2件)
  • メモリ・アレイ・セル読み出し回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-088428   出願人：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
  • 不揮発性半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-285989   出願人：三菱電機株式会社

前のページに戻る

TOP

BOTTOM